台积电在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的“逻辑的未来”小组上透露，台积电1.4nm级制造技术的开发进展顺利进行。台积电强调，使用其2nm级制造工艺的量产有望在2025年实现。
根据SemiAnalysis的Dylan Patel发布的幻灯片，台积电的1.4nm生产节点正式命名为A14。目前，台积电尚未透露计划何时开始A14量产时程及其规格，但鉴于N2计划于2025年末、N2P计划于2026年末，因此可以合理猜测A14会在此之后2027-2028年间推出。
但目前仍尚不清楚，台积电是否会采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CEFT）结构，或是沿用2nm制程将采用的环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）。
仍有待观察的是，台积电是否会在2027年至2028年期间为其A14工艺技术采用高数值孔径EUV（High NA EUV）光刻机。
鉴于彼时英特尔等将采用并完善数值孔径为0.55的下一代EUV光刻机，芯片代工厂商应该更容易地使用它。然而，由于高数值孔径EUV光刻机将掩模版尺寸减半，其使用将为芯片设计者和芯片制造商带来一些额外的挑战。
