三星电子于当地时间6月27日在美国加州硅谷举办了名为"2023三星晶圆代工论坛"的活动。在这个论坛上，他们发布了一项针对人工智能时代的最尖端晶圆代工流程路线图，展示了他们在半导体技术领域的计划和野心。
该公司去年6月实现了基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米工艺半导体产品的量产。而在此次活动中，三星电子进一步确定了基于GAA技术的2纳米工艺半导体的时间表。他们计划在2025年开始量产2纳米工艺半导体，首先应用于移动终端领域。然后，到2026年，他们将把2纳米工艺扩展到高性能计算机集群（HPC），以满足处理大数据和复杂计算任务的需求。最后，在2027年，三星电子计划将2纳米工艺用于车用芯片，以满足汽车系统对更高效能和低功耗的要求。
GAA技术是新一代半导体制造的核心技术，它可以提高数据处理速度、电力效率和晶体管性能。通过采用这项先进技术，三星电子希望为各个领域提供更高性能和更低功耗的半导体产品。
此外，在活动中，三星电子还宣布了他们将在2025年起提供人工智能技术所需的高性能低功耗氮化镓（GaN）功率半导体晶圆代工服务。为了实现这一目标，他们将与相关企业合作，共同构建先进封装协商机制的"MDI（Multi Die Integration）同盟"。
通过这些举措，三星电子计划将半导体生产能力提升至2021年的7.3倍。这表明了三星电子在半导体制造领域的雄心壮志，并展示了他们在人工智能、移动终端、高性能计算和汽车等领域的长期发展愿景。随着科技的不断进步和应用场景的不断扩大，三星电子致力于为市场提供先进的半导体解决方案，推动科技和社会的发展。
